是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-39 |
包装说明: | TO-39, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.74 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
标称电路换相断开时间: | 20 µs | 配置: | SINGLE |
最大直流栅极触发电流: | 0.02 mA | 最大直流栅极触发电压: | 0.6 V |
最大维持电流: | 2 mA | JEDEC-95代码: | TO-39 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 2.512 A |
重复峰值关态漏电流最大值: | 10 µA | 断态重复峰值电压: | 250 V |
重复峰值反向电压: | 250 V | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N2327AE3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 2.512A I(T)RMS, 250V V(DRM), 250V V(RRM), 1 Element, TO-39, | |
2N2327AS | MICROSEMI |
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Thyristor Switches | |
2N2327E3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 2.512A I(T)RMS, 250V V(DRM), 250V V(RRM), 1 Element, TO-39, | |
2N2327LEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 250V V(DRM), 250V V(RRM), 1 Element, TO-39, HE | |
2N2327PBFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, | |
2N2327S | MICROSEMI |
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Thyristor Switches | |
2N2328 | DIGITRON |
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Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 300; Max TMS Bridge Inp | |
2N2328 | MICROSEMI |
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SCRs 1.6 Amp, Planear | |
2N2328 | CENTRAL |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER 1.6 AMPS, 25 THRU 400 VOLTS | |
2N2328 | COMSET |
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SILICON THYRISTORS |