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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-39 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.62 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA | 最大直流栅极触发电压： | 0.8 V |
| 最大维持电流： | 2 mA | JEDEC-95代码： | TO-39 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 最大漏电流： | 0.1 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 15 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 1600 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1.6 A | 断态重复峰值电压： | 100 V |
| 重复峰值反向电压： | 100 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2324A | NJSEMI |
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SCR, V(DRM) = 100 V TO 199.9 V |
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| 2N2324A | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
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| 2N2324A | DIGITRON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 100; Max TMS Bridge Inp |
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| 2N2324AS | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
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| 2N2324ASE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2.512A I(T)RMS, 100V V(DRM), 1 Element, TO-39, |
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| 2N2324N | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 100V V(DRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN |
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| 2N2324S | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
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| 2N2324S | NJSEMI |
获取价格 |
Thyristor SCR 100V 15A 3-Pin TO-5 |
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| 2N2325 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER 1.6 AMPS, 25 THRU 400 VOLTS |
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| 2N2325 | COMSET |
获取价格 |
SILICON THYRISTORS |
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