是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-39 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.36 |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 基于收集器的最大容量: | 15 pF |
集电极-发射极最大电压: | 45 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 50 | JEDEC-95代码: | TO-39 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN | 功耗环境最大值: | 1 W |
最大功率耗散 (Abs): | 5 W | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 100 MHz |
VCEsat-Max: | 0.9 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N2273 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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2N2274 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
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2N2275 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
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2N2276 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
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2N2277 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
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2N2278 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
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