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2N2218AL

更新时间： 2024-02-21 07:27:21

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SEMICOA		晶体晶体管开关
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2页	309K
描述
Silicon NPN Transistor

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2N2218AL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-205AD	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2N2218AL 数据手册

2N2218AL

Silicon NPN Transistor

Data Sheet

Description

Applications

• General purpose

• Low power

Semicoa Semiconductors offers:

• NPN silicon transistor

• Screening and processing per MIL-PRF-19500 Appendix E

• JAN level (2N2218ALJ)

• JANTX level (2N2218ALJX)

• JANTXV level (2N2218ALJV)

• QCI to the applicable level

• 100% die visual inspection per MIL-STD-750 method

2072 for JANTXV

• Radiation testing (total dose) upon request

Features

• Hermetically sealed TO-5 metal can

• Also available in chip configuration

• Chip geometry 0400

• Reference document:

MIL-PRF-19500/251

Benefits

• Qualification Levels: JAN, JANTX, and

JANTXV

• Radiation testing available

Please contact Semicoa for special configurations

www.SEMICOA.com or (714) 979-1900

Absolute Maximum Ratings

T_C= 25°C unless otherwise specified

Parameter

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

Rating

Unit

Volts

Emitter-Base Voltage

V_EBO

I_C

Collector Current, Continuous

800

Power Dissipation, T_A= 25^OC

0.8

P_T

Derate above 25^OC

4.6

mW/°C

Power Dissipation, T_C= 25^OC

Derate above 25^OC

3.0

mW/°C

17.0

°C

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

-55 to +200

T_STG

Semicoa Semiconductors, Inc.

Rev. K

333 McCormick Avenue, Costa Mesa, California 92626 714.979.1900, FAX 714.557.4541

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