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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.59 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2107LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| 2N2108 | NJSEMI |
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20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A |
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| 2N2108 | DIGITRON |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-5 |
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| 2N2109 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2110 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2111 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2112 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2113 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2114 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2116 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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