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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-77 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W6 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.11 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | MO-002AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N2060A | SEME-LAB |
功能相似  |
DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR |
|
| 2N2060 | CENTRAL |
功能相似 |
Dual Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2060(CAN) | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon NPN Transistor |
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| 2N2060A | DIGITRON |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PAIR,NPN,60V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-77 |
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| 2N2060A | SEME-LAB |
获取价格 |
DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR |
|
| 2N2060A | CENTRAL |
获取价格 |
Dual Transistors |
|
| 2N2060A | NJSEMI |
获取价格 |
DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR |
|
| 2N2060ADCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
|
| 2N2060ALEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78 |
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| 2N2060B | DIGITRON |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PAIR,NPN,60V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-77 |
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| 2N2060B | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 6-Pin TO-78 |
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| 2N2060DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
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