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2N2035

更新时间: 2024-11-20 20:29:15
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APITECH /
页数 文件大小 规格书
1页 58K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-8, Metal, 3 Pin,

2N2035 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.46
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-8JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:25 W
最大功率耗散 (Abs):14 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1 MHz
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

2N2035 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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