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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 100 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-209AC | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 最大均方根通态电流： | 110 A |
| 重复峰值反向电压： | 400 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2030M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem |
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| 2N2031 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1.9625A I(T)RMS, 1 Element, TO-94, TO-94, 3 PIN |
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| 2N2032 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-53 |
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| 2N2033 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
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| 2N2034 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
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| 2N2034A | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), NPN, |
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| 2N2035 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-8, Metal, 3 P |
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| 2N2040 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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| 2N2041 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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| 2N2042 | DIGITRON |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,105V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-5 |
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