5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 最大直流栅极触发电流： | 150 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大漏电流： | 4 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 1000 A | 最大通态电压： | 1.9 V |
| 最大通态电流： | 70000 A | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 断态重复峰值电压： | 400 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2030E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
|
| 2N2030M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem |
|
| 2N2031 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1.9625A I(T)RMS, 1 Element, TO-94, TO-94, 3 PIN |
|
| 2N2032 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-53 |
|
| 2N2033 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
|
| 2N2034 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
|
| 2N2034A | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), NPN, |
|
| 2N2035 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-8, Metal, 3 P |
|
| 2N2040 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N2041 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
