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2N1679

更新时间: 2024-02-13 18:37:10
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 55V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39

2N1679 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):1 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):40
最高工作温度:175 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):50 MHz
Base Number Matches:1

2N1679 数据手册

  
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