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2N1596

更新时间： 2024-02-15 18:33:29

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COMSET		栅极
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2页	98K
描述
SILICON THYRISTOR

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2N1596 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.12	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	10 mA	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1.6 A
重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

2N1596 数据手册

2N1595 thru 2N1599

SILICON THYRISTOR

Industrial-type, low-current silicon controlled rectifiers

in a three-lead package ideal for printed-circuit applications.

Current handling capability of 1.6 amperes at junction temperetures to 125°C

MAXIMUM RATINGS (*)

T_J=125°C unless otherwise noted

2N1595 2N1596 2N1597 2N1598 2N1599

Symbol

V_RSM(REP)

Ratings

Peak reverse blocking voltage *

100

200

1.6

300

400

Forward Current RMS (all conduction

angles)

Amp

I_T(RMS)

Peak Surge Current

(One Cycle, 60Hz, T_J=-65 to +125°C)

Amp

I_TSM

0.1

0.01

0.1

P_GM

Peak Gate Power – Forward

Average Gate Power - Forward

Peak Gate Current – Forward

Peak Gate Voltage - Forward

Peak Gate Voltage - Reverse

P_G(AV)

I_GM

Amp

V_GFM

V_GRM

Operating

Range

Junction

Temperature

T_J

-65 to +125

-65 to +150

°C

Storage Temperature Range

T_STG

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_J=25°C unless otherwise noted, R_GK=1000Ω

2N1595 2N1596 2N1597 2N1598 2N1599

Symbol

V_DRM

Ratings

Peak Forward Blocking

Voltage *

Min :

100

200

300

400

Peak Reverse Blocking Current

(Rated V_DRM, T_J=125°C)

I_RRM

Max : 1.0

CO MSET SEMICO N DUCTO RS

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与2N1596相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N1596A	CENTRAL	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Eleme	获取价格
2N1596ALEADFREE	CENTRAL	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-39	获取价格
2N1597	CENTRAL	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme	获取价格
2N1597	ASI	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme	获取价格
2N1597	DIGITRON	Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 200; Max TMS Bridge Inp	获取价格
2N1597	NJSEMI	Silicon Controlled Rectifiers	获取价格