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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TO-5 |
| 包装说明： | TO-5, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.39 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 10 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 140 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 7.2 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N1120 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-41 |
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| 2N1121 | NJSEMI | IF TRANSISTOR SPECIFICATIONS |
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| 2N1122 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 11V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-24 |
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| 2N1131 | MICROSEMI | LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N1131 | RAYTHEON | Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N1131A | RAYTHEON | Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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