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| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MBPM-D2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 7.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JESD-30 代码： | O-MBPM-D2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 0.25 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1015C | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
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| 2N1015C | NJSEMI |
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SIGNAL OR COMPUTER DIODE |
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| 2N1015D | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
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| 2N1015D | NJSEMI |
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SIGNAL OR COMPUTER DIODE |
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| 2N1015E | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
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| 2N1015E | NJSEMI |
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SIGNAL OR COMPUTER DIODE |
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| 2N1015F | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N1016 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N1016A | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N1016B | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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