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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | 针数： | 7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 675 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 410 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 320 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2MBI450U4J-120-50 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, M |
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| 2MBI450U4N-170-50 | FUJI |
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IGBT MODULE |
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| 2MBI450UE-120 | ETC |
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DUAL IGBT |
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| 2MBI450UN-120V | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, M254, |
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| 2MBI450VE-120-50 | FUJI |
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IGBT MODULE (V series) 1200V / 450A / 2 in one package |
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| 2MBI450VH-120-50 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE (V series) 1200V / 450A / 2 in one package |
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| 2MBI450VH-120F-50 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| 2MBI450VJ-120-50 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
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| 2MBI450VN-120-50 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
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| 2MBI450VN-120S-50 | FUJI |
获取价格 |
2-Pack(2 in 1) M254 |
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