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2MBI400VD-120-50

更新时间： 2024-09-13 12:50:39
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 422K
描述
IGBT MODULE (V series) 1200V / 400A / 2 in one package

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2MBI400VD-120-50 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.73外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：520 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X7元件数量：2
端子数量：7最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：800 ns标称接通时间 (ton)：600 ns
VCEsat-Max：2.4 VBase Number Matches：1

2MBI400VD-120-50 数据手册

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http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/  
IGBT Modules  
2MBI400VD-120-50  
IGBT MODULE (V series)  
1200V / 400A / 2 in one package  
Features  
High speed switching  
Voltage drive  
Low Inductance module structure  
Applications  
Inverter for Motor Drive  
AC and DC Servo Drive Amplifier  
Uninterruptible Power Supply  
Industrial machines, such as Welding machines  
Maximum Ratings and Characteristics  
Absolute Maximum Ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Items  
Collector-Emitter voltage  
Symbols  
Conditions  
Maximum ratings  
Units  
V
V
V
CES  
1200  
±20  
Gate-Emitter voltage  
VGES  
Tc=100°C  
Tc=25°C  
400  
520  
800  
400  
Ic  
Continuous  
1ms  
Collector current  
Ic pulse  
-Ic  
-Ic pulse  
Pc  
Tj  
1ms  
1 device  
800  
3330  
175  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
W
Operating junction temperature (under switching conditions)  
Case temperature  
T
T
jop  
150  
125  
°C  
C
Storage temperature  
Isolation voltage between terminal and copper base (*1)  
Tstg  
-40 ~ +125  
2500  
6.0  
V
iso  
AC : 1min.  
VAC  
N m  
Mounting (*2)  
Terminals (*3)  
Screw torque  
-
5.0  
Note *1:All terminals should be connected together during the test.  
Note *2: Recommendable Value : 3.0-6.0 Nm (M5 or M6)  
Note *3: Recommendable Value : 2.5-5.0 Nm (M6)  
Electrical characteristics (at Tj= 25°C unless otherwise specified)  
Characteristics  
Items  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
typ.  
-
-
max.  
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
Gate-Emitter threshold voltage  
I
I
CES  
GES  
V
V
V
GE = 0V, VCE = 1200V  
CE = 0V, VGE = ±20V  
-
2.0  
400  
7.0  
2.40  
-
mA  
nA  
V
-
6.0  
-
V
GE (th)  
CE = 20V, I  
C
= 400mA  
6.5  
Tj=25°C  
1.95  
2.25  
2.30  
1.75  
2.05  
2.00  
36.4  
0.60  
0.20  
0.05  
0.80  
0.08  
1.85  
2.00  
1.95  
1.70  
1.85  
1.80  
0.15  
VCE (sat)  
Tj=125°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=150°C  
-
(terminal)  
V
I
GE = 15V  
= 400A  
Collector-Emitter saturation voltage  
V
C
-
-
2.15  
-
V
CE (sat)  
(chip)  
Input capacitance  
Turn-on time  
Cies  
ton  
tr  
tr (i)  
toff  
tf  
VCE = 10V, VGE = 0V, f = 1MHz  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nF  
µs  
V
CC = 600V  
= 400A  
I
C
V
R
GE = ±15V  
= 1Ω  
G
-
Turn-off time  
Tj = 150°C  
-
2.30  
-
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=150°C  
V
F
(terminal)  
V
I
GE = 0V  
= 400A  
Forward on voltage  
V
F
-
-
2.15  
-
V
F
(chip)  
Reverse recovery time  
trr  
I
F
= 400A  
-
-
µs  
Thermal resistance characteristics  
Characteristics  
Items  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
typ.  
max.  
IGBT  
FWD  
-
-
-
-
-
0.045  
0.077  
-
Thermal resistance (1device)  
Rth(j-c)  
Rth(c-f)  
°C/W  
Contact thermal resistance (1device) (*4)  
with Thermal Compound  
0.013  
Note *4: This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.  
1
123456

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