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Datasheet > 晶体管 > IGBT> 2MBI400U2B-060
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2MBI400U2B-060

更新时间： 2024-09-13 07:28:07
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富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 229K
描述
IGBT Module

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2MBI400U2B-060 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：400 A集电极-发射极最大电压：650 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X7
元件数量：2端子数量：7
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：480 ns
标称接通时间 (ton)：400 nsBase Number Matches：1

2MBI400U2B-060 数据手册

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2MBI400U2B-060  
600V / 400A 2 in one-package  
IGBT Module U-Series  
Equivalent Circuit Schematic  
Features  
Applications  
· High speed switching  
· Voltage drive  
· Inverter for Motor drive  
· AC and DC Servo drive amplifier  
· Low inductance module structure · Uninterruptible power supply  
· Industrial machines, such as Welding machines  
Maximum ratings and characteristics  
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VCES  
VGES  
IC  
Conditions  
Rating  
650  
Unit  
V
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
Collector current  
±20  
400  
V
Continuous  
1ms  
A
ICp  
800  
-IC  
400  
-IC pulse  
PC  
800  
Collector Power Dissipation  
1 device  
AC:1min.  
1250  
+150  
-40 to +125  
2500  
3.5  
W
°C  
Junction temperature  
Tj  
Storage temperature  
Tstg  
Isolation voltage between terminal and copper base *1  
Viso  
VAC  
N·m  
Screw Torque  
Mounting *2  
Terminals *2  
3.5  
*1 : All terminals should be connected together when isolation test will be done.  
*2 : Recommendable value : Mounting 2.5 to 3.5N·m(M5), Terminal 2.5 to 3.5 N·m(M5)  
Electrical characteristics (at Tj=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbols Conditions  
Characteristics  
Min. Typ.  
Unit  
Max.  
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
VGE=0V, VCE=600V  
mA  
nA  
V
ICES  
–
–
6.2  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.0  
400  
7.7  
VCE=0V, VGE=±20V  
VCE=20V, IC=400mA  
VGE=15V, IC=400A  
IGES  
–
Gate-Emitter threshold voltage  
Collector-Emitter saturation voltage  
VGE(th)  
VCE(sat)  
(terminal)  
VCE(sat)  
(chip)  
Cies  
6.7  
2.25  
2.50  
1.85  
2.10  
V
2.55  
–
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
–
–
Input capacitance  
Turn-on time  
VCE=10V, VGE=0V, f=1MHz  
nF  
29  
–
VCC=300V  
μs  
ton  
0.40  
0.22  
0.16  
0.48  
0.07  
2.00  
2.05  
1.60  
1.65  
–
1.20  
0.60  
–
IC=400A  
tr  
VGE=±15V  
tr(i)  
Turn-off time  
RG= 6.8 Ω  
toff  
1.20  
0.45  
2.35  
–
tf  
Forward on voltage  
VGE=0V  
IF=400A  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
V
VF  
(terminal)  
VF  
–
(chip)  
trr  
–
Reverse recovery time  
IF=400A  
μs  
0.35  
–
Lead resistance, terminal-chip*3  
mΩ  
R lead  
0.97  
*3:Biggest internal terminal resistance among arm.  
Thermal resistance characteristics  
Items  
Symbols  
Conditions  
Characteristics  
Min. Typ.  
Unit  
Max.  
–
–
–
–
0.10  
0.16  
–
IGBT  
FWD  
Thermal resistance  
Rth(j-c)  
°C/W  
–
Rth(j-c)  
°C/W  
°C/W  
0.025  
With thermal compound  
Contact Thermal resistance  
Rth(c-f)*4  
*4 : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.  
1234

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