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Datasheet > 晶体管 > IGBT> 2MBI400N-060-01
2MBI400N-060-01 PDF预览

2MBI400N-060-01

更新时间： 2024-10-29 22:06:11
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 251K
描述
IGBT(600V / 400A)

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2MBI400N-060-01 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：400 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUITJESD-30 代码：R-XUFM-X7
元件数量：2端子数量：7
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：600 ns标称接通时间 (ton)：600 ns
Base Number Matches：1

2MBI400N-060-01 数据手册

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IGBT Module  
2MBI400N-060-01  
600V / 400A 2 in one-package  
Features  
· VCE(sat) classified for easy parallel connection  
· High speed switching  
· Voltage drive  
· Low inductance module structure  
Applications  
· Inverter for Motor drive  
· AC and DC Servo drive amplifier  
· Uninterruptible power supply  
· Industrial machines, such as Welding machines  
Equivalent Circuit Schematic  
C2E1  
Maximum ratings and characteristics  
Absolute maximum ratings (atTc=25°C unless otherwise specified)  
E2  
C1  
Unit  
V
Item  
Symbol  
VCES  
Rating  
600  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
Collector Continuous  
V
VGES  
±20  
¤
¤
A
IC  
400  
A
current  
1ms  
IC pulse  
-IC  
800  
400  
A
A
1ms  
-IC pulse  
PC  
800  
G1  
E1  
G2  
E2  
¤ Current control circuit  
W
°C  
°C  
V
Max. power dissipation  
Operating temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage  
1500  
Tj  
+150  
VCE(sat) classification  
Rank Lenge  
Tstg  
-40 to +125  
AC 2500 (1min.)  
3.5  
Conditions  
Vis  
F
1.85 to 2.10V  
2.00 to 2.25V  
2.15 to 2.40V  
2.30 to 2.60V  
2.50 to 2.80V  
N·m  
N·m  
Screw torque  
Mounting *1  
Terminals *2  
A
B
C
D
Ic = 400A  
VGE = 15V  
Tj = 25°C  
4.5  
*1 Recommendable value : 2.5 to 3.5 N·m (M5) or (M6)  
*2 Recommendable value : 3.5 to 4.5 N·m  
Electrical characteristics (at Tj=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Unit  
Min.  
–
Typ.  
–
Max.  
2.0  
30  
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
Gate-Emitter threshold voltage  
Collector-Emitter saturation voltage  
Input capacitance  
VGE=0V, VCE=600V  
VCE=0V, VGE=±20V  
VCE=20V, IC=400mA  
VGE=15V, IC=400A  
VGE=0V  
mA  
µA  
V
ICES  
IGES  
VGE(th)  
VCE(sat)  
Cies  
Coes  
Cres  
ton  
–
–
4.5  
1.8  
–
–
7.5  
2.8  
–
–
V
26400  
5870  
2670  
pF  
Output capacitance  
–
–
VCE=10V  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time  
–
–
f=1MHz  
–
0.6  
1.2  
0.6  
1.0  
0.35  
3.0  
0.3  
VCC=300V  
µs  
–
0.2  
0.6  
0.2  
IC=400A  
tr  
Turn-off time  
–
VGE=±15V  
toff  
–
RG=4.7ohm  
tf  
Diode forward on voltage  
Reverse recovery time  
–
–
–
IF=400A, VGE=0V  
IF=400A  
V
VF  
–
µs  
trr  
Thermal resistance characteristics  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Unit  
Min.  
Typ.  
–
Max.  
0.085  
0.15  
–
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
Rth(c-f)*  
IGBT  
–
–
–
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal resistance  
Diode  
–
the base to cooling fin  
0.025  
* : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound  
1234

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