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2MBI25F-120

更新时间: 2024-10-29 22:18:07
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富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 129K
描述
IGBT MODULE(L series)

2MBI25F-120 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
针数:7Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:LOW SATURATION VOLTAGE最大集电极电流 (IC):25 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-PUFM-X7元件数量:2
端子数量:7封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):1500 ns
标称接通时间 (ton):800 nsBase Number Matches:1

2MBI25F-120 数据手册

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