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2MBI225VN-120-50

更新时间： 2024-09-13 07:28:07
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富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 600K
描述
IGBT MODULE

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2MBI225VN-120-50 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11针数：11
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：225 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码：R-XUFM-X11
元件数量：2端子数量：11
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：1050 ns标称接通时间 (ton)：550 ns
Base Number Matches：1

2MBI225VN-120-50 数据手册

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2MBI225VN-120-50  
IGBT MODULE (V series)  
IGBT Modules  
1200V / 225A / 2 in one package  
Features  
High speed switching  
Voltage drive  
Low Inductance module structure  
Applications  
Inverter for Motor Drive  
AC and DC Servo Drive Amplifier  
Uninterruptible Power Supply  
Industrial machines, such as Welding machines  
Maximum Ratings and Characteristics  
Absolute Maximum Ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Items  
Collector-Emitter voltage  
Symbols  
Conditions  
Maximum ratings  
Units  
V
V
VCES  
1200  
±20  
Gate-Emitter voltage  
VGES  
Ic  
Continuous  
1ms  
Tc=80°C  
Tc=80°C  
225  
450  
225  
Ic pulse  
-Ic  
Collector current  
A
W
°C  
-Ic pulse  
Pc  
Tj  
Tjop  
TC  
1ms  
1 device  
450  
1070  
175  
150  
125  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Operating junction temperature (under switching conditions)  
Case temperature  
Storage temperature  
Tstg  
-40 to +125  
between terminal and copper base (*1)  
between thermistor and others (*2)  
Mounting (*3)  
Terminals (*4)  
Isolation voltage  
V
iso  
AC : 1min.  
2500  
VAC  
N m  
3.5  
4.5  
Screw torque  
-
Note *1: All terminals should be connected together during the test.  
Note *2: Two thermistor terminals should be connected together, other terminals should be connected together and shorted to base plate during the test.  
Note *3: Recommendable value : Mounting : 2.5-3.5 Nm (M5) Note *4: Recommendable value : Terminals : 3.5-4.5 Nm (M6)  
Electrical characteristics (at Tj= 25°C unless otherwise specified)  
Characteristics  
Items  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
-
-
6.0  
-
-
-
-
-
-
-
typ.  
-
-
max.  
3.0  
600  
7.0  
2.65  
-
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
Gate-Emitter threshold voltage  
I
I
V
CES  
GES  
V
V
V
GE = 0V, VCE = 1200V  
CE = 0V, VGE = ±20V  
mA  
nA  
V
GE (th)  
CE = 20V, I  
C
= 225mA  
6.5  
Tj=25°C  
2.20  
2.55  
2.60  
1.85  
2.20  
2.25  
18  
V
CE (sat)  
Tj=125°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=150°C  
(terminal)  
-
V
GE = 15V  
= 225A  
Collector-Emitter saturation voltage  
V
I
C
2.30  
-
VCE (sat)  
(chip)  
-
-
Input capacitance  
Turn-on time  
Cies  
ton  
tr  
tr (i)  
toff  
tf  
V
CE = 10V, VGE = 0V, f = 1MHz  
CC = 600V  
nF  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
550  
180  
120  
1050  
110  
2.05  
2.20  
2.15  
1.70  
1.85  
1.80  
200  
5000  
495  
3375  
1200  
600  
-
2000  
350  
2.50  
-
V
I
C
= 225A  
nsec  
VGE = ±15V  
Turn-off time  
R = 1.6Ω  
G
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=150°C  
VF  
(terminal)  
-
VGE = 0V  
Forward on voltage  
V
I
F
= 225A  
2.15  
-
VF  
(chip)  
-
Reverse recovery time  
Resistance  
trr  
I
F
= 225A  
600  
-
520  
3450  
nsec  
Ω
T=25°C  
T=100°C  
T=25/50°C  
R
465  
3305  
B value  
B
K
Thermal resistance characteristics  
Characteristics  
Items  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
typ.  
max.  
Inverter IGBT  
Inverter FWD  
with Thermal Compound  
-
-
-
-
-
0.14  
0.19  
-
Thermal resistance (1device)  
Rth(j-c)  
Rth(c-f)  
°C/W  
Contact thermal resistance (1device) (*5)  
0.0167  
Note *5: This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.  
1
123456

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