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2MBI225U4N-170-50

更新时间： 2024-09-13 07:28:07
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富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 692K
描述
IGBT MODULE

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2MBI225U4N-170-50 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11针数：11
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：300 A
集电极-发射极最大电压：1700 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X11元件数量：2
端子数量：11封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：550 ns
标称接通时间 (ton)：620 nsBase Number Matches：1

2MBI225U4N-170-50 数据手册

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2MBI225U4N-170-50  
IGBT MODULE (U series)  
IGBT Modules  
1700V / 225A / 2 in one package  
Features  
High speed switching  
Voltage drive  
Low Inductance module structure  
Applications  
Inverter for Motor Drive  
AC and DC Servo Drive Amplifier  
Uninterruptible Power Supply  
Industrial machines, such as Welding machines  
Maximum Ratings and Characteristics  
Absolute Maximum Ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Items  
Symbols  
Conditions  
Maximum ratings  
Units  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
V
CES  
1700  
±20  
V
V
VGES  
Tc=25°C  
Tc=80°C  
Tc=25°C  
Tc=80°C  
300  
225  
600  
450  
Ic  
Continuous  
1ms  
Collector current  
Icp  
A
-Ic  
225  
-Ic pulse  
Pc  
Tj  
1ms  
1 device  
450  
1040  
150  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
W
°C  
Tstg  
-40 to +125  
between terminal and copper base (*1)  
between thermistor and others (*2)  
Mounting (*3)  
Isolation voltage  
Screw torque  
V
iso  
AC : 1min.  
3400  
VAC  
N m  
3.5  
4.5  
-
Terminals (*4)  
Note *1: All terminals should be connected together when isolation test will be done.  
Note *2: Two thermistor terminals should be connected together, each other terminals should be connected together and shorted to base plate when isolation test will be done.  
Note *3: Recommendable value : Mounting : 2.5-3.5 Nm (M5) Note *4: Recommendable value : Terminals : 3.5-4.5 Nm (M6)  
Electrical characteristics (at Tj= 25°C unless otherwise specified)  
Characteristics  
Items  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
-
-
4.5  
-
-
-
typ.  
-
-
max.  
3.0  
600  
8.5  
2.85  
-
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
Gate-Emitter threshold voltage  
I
I
V
CES  
GES  
V
V
V
GE = 0V, VCE = 1700V  
CE = 0V, VGE = ±20V  
mA  
nA  
V
GE (th)  
CE = 20V, I  
C
= 225mA  
6.5  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
2.60  
3.00  
2.30  
2.65  
21  
V
CE (sat)  
(terminal)  
V
GE = 15V  
= 225A  
Collector-Emitter saturation voltage  
V
I
C
2.45  
-
VCE (sat)  
(chip)  
Cies  
ton  
tr  
tr (i)  
toff  
tf  
-
-
Input capacitance  
Turn-on time  
V
CE = 10V, VGE = 0V, f = 1MHz  
CC = 900V  
-
nF  
-
-
-
-
-
-
-
-
0.62  
0.39  
0.05  
0.55  
0.09  
2.05  
2.25  
1.80  
2.00  
0.18  
1.30  
5000  
495  
3375  
1.20  
0.60  
-
1.50  
0.30  
2.35  
-
V
I
C
= 225A  
µs  
V
VGE = ±15V  
R = 2.2Ω  
G
Turn-off time  
V
F
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
(terminal)  
VF  
(chip)  
V
GE = 0V  
= 225A  
Forward on voltage  
I
F
1.95  
-
-
-
-
Reverse recovery time  
trr  
I
F
= 225A  
0.6  
-
-
µs  
mΩ  
Lead resistance, terminal-chip (*5)  
R lead  
T=25°C  
T=100°C  
T=25/50°C  
-
Resistance  
R
B
Ω
K
465  
3305  
520  
3450  
B value  
Note *5: Biggest internal terminal resistance among arm.  
Thermal resistance characteristics  
Items  
Characteristics  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
typ.  
max.  
IGBT  
FWD  
-
-
-
-
-
0.12  
0.20  
-
Thermal resistance (1device)  
Rth(j-c)  
Rth(c-f)  
°C/W  
Contact thermal resistance (1device) (*6)  
with Thermal Compound  
0.0167  
Note *6: This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.  
1
123456

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