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2MBI200VH-170-50

更新时间： 2024-04-09 19:01:32

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2MBI200VH-170-50 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	200 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1050 ns
标称接通时间 (ton)：	1150 ns	Base Number Matches：	1

2MBI200VH-170-50

IGBT Modules

Power Module (V series)

1700V / 200A / 2-in-1 package

Features

AC-switch

■

High speed switching

Voltage drive

Low Inductance module structure

Applications

AC-switch for UPS,PCS and etc.

■

■ Outline drawing ( Unit : mm )

Weight: 370g (typ.)

■ Equivalent circuit

C2E1

FM5F7939b

2023/06

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2MBI200XAA065-50	FUJI	获取价格	2-Pack(2 in 1)
2MBI200XAA120-50	FUJI	获取价格	2-Pack(2 in 1)
2MBI200XBE120-50	FUJI	获取价格	2-Pack(2 in 1) M274
2MBI200XHA170-50	FUJI	获取价格	2-Pack(2 in 1) M276
2MBI225U4J-120-50	FUJI	获取价格	IGBT Module
2MBI225U4N-120-50	FUJI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PA
2MBI225U4N-170-50	FUJI	获取价格	IGBT MODULE
2MBI225VJ-120-50	FUJI	获取价格	IGBT MODULE
2MBI225VN-120-50	FUJI	获取价格	IGBT MODULE
2MBI225VN-120S-50	FUJI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor