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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW SATURATION VOLTAGE, HIGH SWITCHING SPEED | 最大集电极电流 (IC)： | 100 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 800 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 600 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2MBI100N-060 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI100N-120 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI100NB-060 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| 2MBI100NB-120 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI100NC-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI100NE-120 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI100NT-120-01 | FUJI |
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IGBT module |
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| 2MBI100P-140 | FUJI |
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IGBT MODULE ( P-Series ) |
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| 2MBI100PC-140 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( P-Series ) |
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| 2MBI100PC-140_04 | FUJI |
获取价格 |
IGBT Module |
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