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2MBI100HB-120-50

更新时间： 2024-09-13 12:50:39
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 531K
描述
HIGH SPEED IGBT MODULE 1200V / 100A / 2 in one package

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2MBI100HB-120-50 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.71最大集电极电流 (IC)：150 A
集电极-发射极最大电压：1200 V门极-发射极最大电压：20 V
元件数量：1最高工作温度：150 °C
最大功率耗散 (Abs)：1040 W子类别：Insulated Gate BIP Transistors
VCEsat-Max：3.6 VBase Number Matches：1

2MBI100HB-120-50 数据手册

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http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/  
IGBT Modules  
2MBI100HB-120-50  
HIGH SPEED IGBT MODULE  
1200V / 100A / 2 in one package  
Features  
High speed switching  
Voltage drive  
Low Inductance module structure  
Applications  
Soft-switching Application  
Industrial machines, such as Welding machines  
Maximum Ratings and Characteristics  
Absolute Maximum Ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Items  
Symbols  
Conditions  
Maximum ratings  
Units  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
V
CES  
1200  
±20  
V
V
VGES  
Tc=25°C  
Tc=80°C  
Tc=25°C  
Tc=80°C  
150  
100  
300  
200  
Ic  
Continuous  
1ms  
Collector current  
Ic pulse  
A
-Ic  
50  
-Ic pulse  
Pc  
Tj  
1ms  
1 device  
100  
Collector Power Dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
1040  
+150  
-40 ~ +125  
2500  
3.5  
W
°C  
Tstg  
Isolation voltage Between terminal and copper base (*1)  
Viso  
AC : 1min.  
VAC  
N m  
Mounting (*2)  
Terminals (*3)  
Screw torque  
-
3.5  
Note *1:All terminals should be connected together when isolation test will be done.  
Note *2: Recommendable Value : Mounting 2.5 to 3.5 Nm (M5)  
Note *3: Recommendable Value : Terminals 2.5 to 3.5 Nm (M5)  
Electrical characteristics (at Tj= 25°C unless otherwise specified)  
Characteristics  
Items  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
typ.  
-
-
6.2  
3.30  
4.20  
3.10  
4.00  
9
max.  
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
Gate-Emitter threshold voltage  
I
I
CES  
GES  
V
V
V
GE = 0V, VCE = 1200V  
CE = 0V, VGE = ±20V  
-
-
1.0  
200  
6.7  
3.60  
-
mA  
nA  
V
V
GE (th)  
CE = 20V, I  
C
= 100mA  
5.7  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
-
-
-
-
-
VCE (sat)  
(terminal)  
V
I
GE = 15V  
= 100A  
Collector-Emitter saturation voltage  
V
C
3.40  
-
VCE (sat)  
(chip)  
Cies  
Input capacitance  
Turn-off time  
V
V
V
CE = 10V, VGE = 0V, f = 1MHz  
CC = 600V, I = 100A  
GE = ±15V, R = 3.1Ω  
-
nF  
µs  
C
toff  
tf  
-
0.30  
0.05  
0.60  
0.20  
G
Ls = 20nH  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
-
-
-
-
-
1.85  
2.00  
1.70  
1.85  
1.55  
2.30  
-
2.15  
-
-
V
F
(terminal)  
V
I
GE = 0V  
= 50A  
Forward on voltage  
V
F
VF  
(chip)  
R lead  
Lead resistance, terminal-chip (*4)  
mΩ  
Note *4:Biggest internal terminal resistance among arm.  
Thermal resistance characteristics  
Items  
Characteristics  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
typ.  
max.  
IGBT  
FWD  
-
-
-
-
-
0.12  
0.65  
-
Thermal resistance (1device)  
Rth(j-c)  
Rth(c-f)  
°C/W  
Contact Thermal resistance (1 device) (*5)  
with Thermal Compound  
0.05  
Note *5: This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.  
1
123456

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与2MBI100HB-120-50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2MBI100HJ-120-50 FUJI

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 		2-Pack(2 in 1) M276
2MBI100J060 ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C)
2MBI100J120 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C)
2MBI100L-060 ETC

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 		IGBT mold type
2MBI100L-120 FUJI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, M215, 7 PIN
2MBI100N-060 FUJI

获取价格

 		IGBT MODULE ( N series )
2MBI100N-120 FUJI

获取价格

 		IGBT MODULE ( N series )
2MBI100NB-060 FUJI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
2MBI100NB-120 FUJI

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 		IGBT MODULE ( N series )
2MBI100NC-120 FUJI

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 		IGBT MODULE ( N series )

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