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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 1000 ns |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1440 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 2.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2MBI100HB-120-50 | FUJI |
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HIGH SPEED IGBT MODULE 1200V / 100A / 2 in one package |
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| 2MBI100HJ-120-50 | FUJI |
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2-Pack(2 in 1) M276 |
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| 2MBI100J060 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C) |
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| 2MBI100J120 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) |
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| 2MBI100L-060 | ETC |
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IGBT mold type |
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| 2MBI100L-120 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, M215, 7 PIN |
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| 2MBI100N-060 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI100N-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI100NB-060 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| 2MBI100NB-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( N series ) |
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