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2KK5129

更新时间: 2024-11-20 18:09:47
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描述
N-Channel MOSFET

2KK5129 数据手册

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SMD Type  
MOSFET  
N-Channel MOSFET  
2KK5129  
Features  
VDS (V) = 30 V  
ID = 300 mA  
RDS(ON) < 1.1 Ω (VGS = 4.5V)  
Very fast switching  
Ultra low voltage drive (2.5V drive)  
3
1.Gate  
2.Source  
3.Drain  
1
2
Absolute Maximum Ratings (T  
a
= 25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Rating  
30  
Unit  
V
V
V
DS  
GS  
Gate-Source Voltage  
±12  
Continuous Drain Current  
I
D
0.3  
A
Pulsed Drain Current (tp=10μs)  
I
DM  
1.2  
Power Dissipation (Note 1)  
P
D
200  
mW  
Thermal Resistance.Junction- to-Ambient (Note 1)  
Junction Temperature  
R
θJA  
625  
/W  
T
J
150  
Storage Temperature Range  
T
stg  
-55 to 150  
Note 1. Surface mounted on FR4 board using 1 in sq pad size. (Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
1
www.kexin.com.cn  

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