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2KK5022

更新时间： 2024-10-15 18:09:59

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N-Channel MOSFET

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2KK5022 数据手册

SMD Type

MOSFIECT

N-Channel Enhancement MOSFET

2KK5022

(

)

Unit: mm

SOT-23-6

+0.1

-0.1

0.4

Features

VDS (V) = 30V

ID = 5.8 A (VGS = 10V)

RDS(ON)

28m (VGS = 10V)

33m (VGS = 4.5V)

52m (VGS = 2.5V)

+0.02

0.15

-0.02

+0.01

-0.01

+0.2

-0.1

1.Drain

2.Drain

3.Gate

4.Source

5.Drain

6.Drain

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

VDS

Rating

Unit

Gate-Source Voltage

VGS

5.8

4.9

Continuous Drain Current

TA=25

TA=70

Pulsed Drain Current *

Power Dissipation

IDM

1.4

TA=25

TA=70

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

Thermal Resistance.Junction- to-Case

Junction and Storage Temperature Range

RthJA

Rthc

125

TJ, TSTG

-55 to 150

* Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.

www.kexin.com.cn

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