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2KK5014

更新时间： 2024-09-14 00:33:03

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描述
N-Channel Enhancement MOSFET

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2KK5014 数据手册

SMD Type

MOSFET

N-Channel Enhancement MOSFET

ꢀꢁ,,ꢂꢃꢄꢅ

Unit:mm

SOT-223

6.50±0.2

3.00±0.1

Ƶ Features

ƽ VDS (V) = 150V

ƽ ID = 2.8 A (VGS = 10V)

ƽ RDS(ON) ˘ 285m¡ (VGS = 10V)

ƽ RDS(ON) ˘ 305m¡ (VGS = 6V)

0.250

2.30 (typ)

Gauge Plane

1.Gate

2.Drain

3.Source

4.Drain

0.70±0.1

4.60 (typ)

Ƶ Absolute Maximum Ratings Ta = 25ć

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

Unit

150

±20

2.8

Gate-Source Voltage

Ta=25ć (Note.1)

Continuous Drain Current

(Note.1)

(Note.2)

2.2

1.0

Ta=25ć

Power Dissipation

Single Pulsed Avalanche Energy

(Note.3)

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

Thermal Resistance.Junction- to-Case

Junction Temperature

thJA

thJC

ć/W

150

Storage Temperature Range

stg

-55 to 150

Note1: 55 °C/W when mounted on a 1 in 2 pad of 2 oz copper

Note2: 118 °C/W when mounted on a minimum pad of 2 oz copper

Note3: Starting TJ = 25 °C; N-ch: L = 1 mH, IAS = 5 A, VDD = 135 V, VGS = 10 V.

www.kexin.com.cn

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