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2KK5006DS

更新时间： 2024-11-19 18:09:35

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科信 - KEXIN		/
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4页	178K
描述
N-Channel MOSFET

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2KK5006DS 数据手册

SMD Type

MOSFIECT

N-Channel Enhancement MOSFET

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627ꢅꢆꢋꢅꢋ

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Features

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ꢀꢁꢂ

VDS (V) = 30V

ID = 5.8 A (VGS = 10V)

RDS(ON)

28m (VGS = 10V)

33m (VGS = 4.5V)

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52m (VGS = 2.5V)ꢀꢀꢀ

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ꢀꢁꢂ*DWH

ꢃꢁꢂ6RXUFH

ꢄꢁꢂ'UDLQ

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

Unit

VDS

VGS

Gate-Source Voltage

5.8

Continuous Drain Current

TA=25

TA=70

4.9

Pulsed Drain Current *

Power Dissipation

IDM

1.4

TA=25

TA=70

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

Thermal Resistance.Junction- to-Case

Junction and Storage Temperature Range

RthJA

Rthc

125

TJ, TSTG

-55 to 150

* Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.

www.kexin.com.cn

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