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2KJ6012

更新时间： 2024-11-22 18:09:47

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科信 - KEXIN		/
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4页	337K
描述
P-Channel MOSFET

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2KJ6012 数据手册

SMD Type

MOSFEITC

P-Channel Enhancement MOSFET

2KJ6012

627ꢅꢆꢋꢅꢋ

8QLWꢊ PP

ꢃꢀꢁꢆ

ꢅꢀꢁꢄ

ꢆꢁꢇ

ꢃꢀꢁꢄ

ꢅꢀꢁꢄ

ꢀꢁꢂ

Features

VDS (V) = -30V

ID = -4.1 A

ꢃꢀꢁꢀꢆ

ꢅꢀꢁꢀꢆ

ꢃꢀꢁꢄ

ꢀꢁꢇꢈ

ꢅꢀꢁꢄ

ꢀꢁꢄꢈ

RDS(ON)

52m (VGS = -10V)

87m (VGS = -4.5V)

ꢃꢀꢁꢄ

ꢅꢀꢁꢆ

ꢄꢁꢇ

ꢀꢁ *DWH

ꢂꢁ 6RXUFH

ꢃꢁ 'UDLQ

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

-30

Unit

Gate-Source Voltage

f20

-4.1

-3.5

-20

Continuous Drain Current

Ta = 25ć

Ta = 70ć

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

IDM

1.4

Ta = 25ć

Ta = 70ć

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

t İ10s

RthJA

ć/W

Steady State

125

Thermal Resistance.Junction- to-Lead

Junction Temperature

thJL

150

Storage Temperature Range

stg

-55 to 150

www.kexin.com.cn

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