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2KJ6006

更新时间： 2024-10-15 18:09:59

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描述
P-Channel MOSFET

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数据手册

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2KJ6006 数据手册

SMD Type

MOSFET

P-Channel Enhancement MOSFET

ꢀꢀꢀꢀꢁ.-ꢂꢃꢃꢂ

627ꢅꢆꢋꢅꢋ

8QLWꢊ PP

ꢃꢀꢁꢆ

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Ƶ Features

ꢃꢀꢁꢄ

ꢅꢀꢁꢄ

ꢀꢁꢂ

ƽ VDS (V) =-30V

ƽ ID =-4.2 A (VGS =-10V)

ƽ RDS(ON) ˘ 50m¡ (VGS =-10V)

ƽ RDS(ON) ˘ 65m¡ (VGS =-4.5V)

ƽ RDS(ON) ˘ 120m¡ (VGS =-2.5V)

ꢃꢀꢁꢀꢆ

ꢅꢀꢁꢀꢆ

ꢃꢀꢁꢄ

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ꢀꢁ *DWH

ꢂꢁ 6RXUFH

ꢃꢁ 'UDLQ

Ƶ Absolute Maximum Ratings Ta = 25ć

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

-30

f12

-4.2

-3.5

-30

1.4

Unit

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Ta = 25ć

Ta = 70ć

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

IDM

Ta = 25ć

Ta = 70ć

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient t İ 10s

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

Thermal Resistance.Junction- to-Case

Junction Temperature

thJA

thJC

ć/W

125

150

Storage Temperature Range

stg

-55 to 150

www.kexin.com.cn

12 3 4

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