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2KJ6005

更新时间: 2024-11-19 18:09:59
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4页 197K
描述
P-Channel MOSFET

2KJ6005 数据手册

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SMD Type  
MOSFET  
P-Channel Enhancement MOSFET  
ꢀꢀꢀꢀꢀ,+ꢁꢂꢂꢃ  
627ꢃꢆꢉ  
8QLWꢌ PP  
ꢅꢀꢁꢄ  
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ꢆꢁꢇ  
ꢀꢁꢂ  
ꢅꢀꢁꢄ  
ꢃꢀꢁꢄ  
Ƶ Features  
3
ƽ VDS (V) =-30V  
ƽ ID =-4.2 A (VGS =-10V)  
ƽ RDS(ON) ˘ 50m¡ (VGS =-10V)  
ƽ RDS(ON) ˘ 65m¡ (VGS =-4.5V)  
ƽ RDS(ON) ˘ 120m¡ (VGS =-2.5V)  
1
2
ꢅꢀꢁꢄ  
ꢃꢀꢁꢄ  
D
S
ꢅꢀꢁꢀꢈ  
ꢃꢀꢁꢀꢄ  
ꢀꢁꢇꢈ  
ꢀꢁꢄ  
ꢅꢀꢁꢄ  
ꢃꢀꢁꢄ  
ꢄꢁꢇ  
1. Gate  
G
2. Source  
3. Drain  
Ƶ Absolute Maximum Ratings Ta = 25ć  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
Rating  
-30  
f12  
-4.2  
-3.5  
-30  
1.4  
Unit  
V
V
DS  
GS  
Gate-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current  
Ta = 25ć  
Ta = 70ć  
ID  
A
W
Pulsed Drain Current  
Power Dissipation  
IDM  
Ta = 25ć  
Ta = 70ć  
P
D
1
90  
Thermal Resistance.Junction- to-Ambient t İ 10s  
Thermal Resistance.Junction- to-Ambient  
Thermal Resistance.Junction- to-Case  
Junction Temperature  
R
thJA  
thJC  
ć/W  
ć
125  
60  
R
T
J
150  
Junction and Storage Temperature Range  
T
stg  
-55 to 150  
1
www.kexin.com.cn  

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