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2FI100GD

更新时间: 2024-01-05 11:07:13
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富士电机 - FUJI 快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 127K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, Silicon,

2FI100GD 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PUFM-X3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
应用:FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.65 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X3最大非重复峰值正向电流:1200 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:100 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大反向恢复时间:0.6 µs
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

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