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2DC4617R-7 PDF预览

2DC4617R-7

更新时间： 2024-01-11 15:04:57
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 63K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-523

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2DC4617R-7 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, ULTRA MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：0.95Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：180 MHzBase Number Matches：1

2DC4617R-7 数据手册

 浏览型号2DC4617R-7的Datasheet PDF文件第2页 
2DC4617Q/R/S  
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
SOT-523  
·
·
Ultra Miniature Surface Mount Package  
Complementary PNP Type Available  
(2DA1774Q,R,S)  
Dim Min Max Typ  
A
A
B
C
D
G
H
J
0.15 0.30 0.22  
0.75 0.85 0.80  
1.45 1.75 1.60  
C
Mechanical Data  
·
C
B
TOP VIEW  
Case: SOT-523, Molded Plastic  
Case material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
¾
¾
0.50  
·
E
B
0.90 1.10 1.00  
1.50 1.70 1.60  
0.00 0.10 0.05  
0.60 0.80 0.75  
0.10 0.30 0.22  
0.10 0.20 0.12  
0.45 0.65 0.50  
G
H
·
·
K
J
M
K
L
·
·
Terminal Connections: See diagram  
Marking (See Page 2): 2DC4617Q: 8D  
L
D
M
N
a
2DC4617R: 8E  
2DC4617S: 8F  
·
·
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.002 grams (approx.)  
0°  
8°  
¾
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Symbol  
Maximum Ratings  
Characteristic  
2DC4617Q/R/S  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
60  
50  
V
7.0  
V
Collector Current - Continuous (Note 1)  
Power Dissipation (Note 1)  
150  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Pd  
150  
RqJA  
Tj, TSTG  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage and Temperature Range  
833  
-55 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 2)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
IC = 50mA, IE = 0  
IC = 1.0mA, IB = 0  
60  
50  
7.0  
¾
¾
¾
V
V
IE = 50mA, IC = 0  
VCB = 60V  
¾
V
100  
100  
nA  
nA  
VEB = 7.0V  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
¾
ON CHARACTERISTICS (Note 2)  
DC Current Gain  
2DC4617Q  
2DC4617R  
2DC4617S  
120  
180  
270  
270  
390  
560  
VCE = 6.0V, IC = 1.0mA  
IC = 50mA, IB = 5.0mA  
hFE  
¾
VCE(SAT)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
¾
0.4  
V
VCB = 12V, f = 1.0MHz, IE = 0  
VCE = 12V, IE = -2mA, f = 1MHz  
Cobo  
fT  
2.0 Typ.  
3.5  
pF  
Current Gain-Bandwidth Product  
180 Typ.  
¾
MHz  
Notes:  
1. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website  
at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
DS30252 Rev. 4 - 2  
1 of 2  
2DC4617Q/R/S  
12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2DC4617R-7-F DIODES NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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