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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.29 | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | JUNCTION | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK373_07 | TOSHIBA | Silicon N Channel Junction Type For Audio, High Voltage Amplifier and Constant Current App |
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| 2SK3730-01MR | FUJI | Power Field-Effect Transistor |
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| 2SK3731 | KEXIN | N-channel enhancement mode MOSFET |
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| 2SK3731 | TYSEMI | Low on-resistance, low Qg High avalanche resistance For high-speed switching |
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| 2SK3736 | RENESAS | Silicon N Channel MOS FET Power Switching |
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| 2SK3736-E | RENESAS | Nch Single Power MOSFET 250V 6A 700mohm TO-220AB |
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