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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> 2SK359

2SK359 PDF预览

2SK359

更新时间： 2024-02-05 13:44:49

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
7页	34K
描述
Silicon N-Channel MOS FET

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2SK359 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	0.03 A
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK359 数据手册

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2SK359

Silicon N-Channel MOS FET

Application

VHF amplifier

Outline

TO-92 (2)

1. Gate

2. Source

3. Drain

3

2

1

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SK3591	FUJI	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	获取价格
2SK3591-01MR	FUJI	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	获取价格
2SK3591-01MR_03	FUJI	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	获取价格
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