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2SK2415

更新时间： 2024-01-25 23:28:20

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MOS Field Effect Transistor

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2SK2415 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AB	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.44	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2415 数据手册

SMD Type

MOSFICET

MOS Field Effect Transistor

2SK2415

Features

Low On-Resistance

TO-252

Unit: mm

R^DS(on)1= 0.10 MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 4.0A)

RDS(on)2 = 0.15 MAX. (@ VGS = 4 V, ID = 4.0 A)

Low Ciss Ciss = 570 pF TYP.

+0.15

-0.15

+0.1

2.30

-0.1

6.50

+0.2

5.30

-0.2

+0.8

0.50

-0.7

0.127

max

+0.1

0.80

-0.1

+0.1

0.60

-0.1

2.3

4.60

1 Gate

+0.15

-0.15

2 Drain

3 Source

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

Unit

Gate to source voltage

8.0

Drain current

I^dp*

P^D

Power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

* PW 10 s,Duty Cycle 1%

T^ch

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

I^DSS

I^GSS

V^GS(off)VDS=10V,ID=1mA

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

Drain cut-off current

VDS=60V,VGS=0

Gate leakage current

VGS= 20V,VDS=0

Gate to source cutoff voltage

Forward transfer admittance

1.0

5.0

1.6

8.4

2.0

VDS=10V,ID=4A

V^GS=10V,ID=4A

VGS=4V,ID=4A

Yfs

0.07 0.10

Drain to source on-state resistance

R^DS(on)

0.10 0.15

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

Ciss

C^oss

C^rss

t^on

t^r

570

290

V^DS=10V,VGS=0,f=1MHZ

ID=4A,VGS(on)=10V,RG=10 ,VDD=30V

Turn-off delay time

Fall time

t^off

www.kexin.com.cn

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