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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.8 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2009(T5L,PP,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2009(T5LHITJ,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2009(T5LMAA,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2009(T5LMATUD,F | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2009_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH APPLICATIONS) |
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| 2SK2009TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose |
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| 2SK2010 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2011 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2012 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2013 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATION) |
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