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2SJ207

更新时间： 2024-02-29 16:20:03

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科信 - KEXIN		晶体晶体管
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MOS Fied Effect Transistor

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2SJ207 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	POMM	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.33	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	16 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ207 数据手册

SMD Type

MOSFET

MOS Fied Effect Transistor

2SJ207

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

Directly driven by Ics having a 3V poer supply.

Has low on-state resistance

RDS(on)=4 MAX.@VGS=-2.5V,ID=-30mA

RDS(on)=1.5 MAX.@VGS=-4.0V,ID=-500mA

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

1 GATE

2.Emitter

2 SOURCE

3.collector

3 DRAIN

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage VGS=0

Gate to source voltage VDS=0

Drain current (DC)

Symbol

VDSS

VGSS

Rating

-16

Unit

1.0

Drain current(pulse) *

2.0

Power dissipation

2.0

Channel temperature

Tch

150

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

* PW

10 ms; d

50%.

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Drain cut-off current

Symbol

Testconditons

Min

Typ

Max

-10

Unit

IDSS

IGSS

VDS=-16V,VGS=0

VGS= 16V,VDS=0

Gate leakage current

Gate cut-off voltage

VGS(off) VDS=-5.0V,ID=-1mA

-1.4

0.4

-1.9

0.7

-2.4

Forward transfer admittance

VDS=-3.0V,ID=-500mA

VGS=-2.5V,ID=-30mA

VGS=-4V,ID=-500mA

Yfs

2.6

4.0

1.5

Drain to source on-state resistance

RDS(on)

0.9

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

Ciss

C^oss

Crss

td(on)

180

160

VDS=-3.0V,VGS=0,f=1MHZ

180

500

130

240

VGS(on)=-3V,RG=10 ,VDD=-3V,ID=-

100mA RL=30

Turn-off delay time

Fall time

td(off)

Marking

www.kexin.com.cn

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