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2SD613

更新时间： 2024-01-17 08:07:42

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SAVANTIC		晶体晶体管
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3页	102K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD613 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	85 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz
Base Number Matches：	1

2SD613 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD613

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SB633

·High breakdown voltage :V_CEO=85V

·High current 6A

APPLICATIONS

·Recommend for 25-35W high fidelity

audio frequency amplifier output stage

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

100

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_C=25ꢀ

ꢀ

T_j

150

-55~150

T_stg

ꢀ

12 3

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与2SD613相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD613C	MOSPEC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 85V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SD613D	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 85V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SD613E	MOSPEC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 85V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SD613F	MOSPEC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 85V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SD613P	SANYO	85V/6A,AF 35 to 45W Output Applications	获取价格
2SD613PD	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 85V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-220AB	获取价格