2SD476A

更新时间： 2024-02-22 19:10:30

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日立 - HITACHI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	35K
描述
Silicon NPN Triple Diffused

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2SD476A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	7 MHz
Base Number Matches：	1

2SD476A 数据手册

2SD476(K), 2SD476A(K)

Silicon NPN Triple Diffused

Application

Power switching complementary pair with 2SB566(K) and 2SB566A(K)

Outline

TO-220AB

1. Base

2. Collector

(Flange)

3. Emitter

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Ratings

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

2SD476(K)

2SD476A(K)

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Note: 1. Value at T_C= 25°C

I_C(peak)

P_C*¹

°C

150

Tstg

–55 to +150

12 3 4 5

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与2SD476A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD476A(K)	RENESAS	4A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN	获取价格
2SD476A(K)	HITACHI	POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
2SD476A(K)B	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SD476A(K)B	RENESAS	4A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN	获取价格
2SD476A(K)C	RENESAS	4A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN	获取价格
2SD476AK	RENESAS	Silicon NPN Triple Diffused	获取价格