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2SD287B

更新时间： 2024-01-24 04:22:44

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	96K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

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2SD287B 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	100 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8 MHz	VCEsat-Max：	2 V
Base Number Matches：	1

2SD287B 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD287BQ	NEC	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格
2SD287BR	NEC	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格
2SD287BS	NEC	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格
2SD287C	ETC		获取价格
2SD287CQ	NEC	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格
2SD287CR	NEC	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格

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