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2SD2098

更新时间： 2024-07-02 20:09:41

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合科泰 - HOTTECH		/
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5页	399K
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SOT-89

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2SD2098 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	270
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e2
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD2098 数据手册

2SD2098

BIPOLAR TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

 Complementary to 2SB1036

 Excellent h_FELinearity

 Surface Mount device

SOT-89

MECHANICAL DATA



Case: SOT-89

Case Material: Molded Plastic. UL flammability

Classification Rating: 94V-0

Weight: 0.055 grams (approximate)

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_CBO

Value

Unit

Collector-Base Voltage

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_EBO

Collector Current

Collector Power Dissipation

500

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

150

TSTG

-55 ~+150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol Min Typ Max Unit

Conditions

I =50uA I =0

V(BR)CBO

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

，

V(BR)CEO

V(BR)EBO

I_CBO

I =1mA I =0

，

I =50uA I =0

E C

0.5

390

uA V_CB=40V, I_E=0

uA V_EB=5V, I_C=0

V_CE=2V, I_C=0.5A

Emitter cut-off current

I_EBO

DC current gain

h_FE

120

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

I_C=4A，I_B=100mA

V_CE=6V,I_C=50mA,f=100

V_CB=20V, I_E=0, f=1

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

Range

120-270

AHQ

180-390

AHR

Marking

1 / 5

©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD

E-mail:hkt@heketai.com

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