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2SD200

更新时间: 2024-01-27 15:54:37
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页数 文件大小 规格书
1页 72K
描述
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR(COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT APPLICATIONS)

2SD200 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.48
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):2.5 A
集电极-发射极最大电压:700 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):2.5JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:10 W最大功率耗散 (Abs):10 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:5 VBase Number Matches:1

2SD200 数据手册

  
NPN TRIPLE DIFFUSED  
2SD200  
PLANAR SILICON TRANSISTOR  
COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT  
APPLICATIONS(No Damper Diode)  
TO-3  
!
!
High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V)  
High Speed Switching  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25)  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Dissipation (Tc=25)  
Junction Temperature  
Symbol  
Rating  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PC  
Tj  
1500  
800  
6
2.5  
15  
V
V
V
A
W
150  
-50~150  
Storage Temperature  
Tstg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Collector- Emitter Cutoff Current(VBE=0)  
Collector Cutoff Current  
ICES  
ICBO  
VCE= 600 V , RBE=0  
VCB= 800 V , IE=0  
1.0  
10  
mA  
µA  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
IEBO  
hFE  
VEB= 4V ,  
VCE= 5V ,  
IC=0  
IC=1A  
1.0  
mA  
8
Collector- Emitter Saturation Voltage  
VCE(sat)  
IC= 2.5A , IB=0.5A  
5.0  
V
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.  
Homepage: http://www.wingshing.com  
Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153  
E-mail: wsccltd@hkstar.com  

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