是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.48 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 2.5 A |
集电极-发射极最大电压: | 700 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 2.5 | JEDEC-95代码: | TO-3 |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 125 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
功耗环境最大值: | 10 W | 最大功率耗散 (Abs): | 10 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
VCEsat-Max: | 5 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SD2000 | PANASONIC | Silicon NPN triple diffusion planar type(For power switching) |
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2SD2000 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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2SD2000 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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2SD2000O | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-127VAR |
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2SD2000P | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-127VAR |
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2SD2000Q | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-127VAR |
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