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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC5345

2SC5345 PDF预览

2SC5345

更新时间： 2024-01-06 08:17:38

品牌	Logo	应用领域
可天士 - KODENSHI		射频放大器
页数	文件大小	规格书
5页	260K
描述
RF amplifier

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数据手册

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2SC5345 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68

2SC5345 数据手册

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2SC5345

NPN Silicon Transistor

Description

• RF amplifier

PIN Connection

C

E

Features

• High current transition frequency

f_T=550MHz(Typ.), [V_CE=6V, I_E=-1mA]

• Low output capacitance :

B

C_ob=1.4pF(Typ.) [V_CB=6V, I_E=0]

• Low base time constant and high gain

• Excellent noise response

TO-92

Ordering Information

Type NO.

Marking

C5345

Package Code

2SC5345

TO-92

Absolute maximum ratings

Characteristic

Ta=25°C

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

30

V

20

V

4

V

Collector current

20

mA

mW

°C

Collector dissipation

P_C

500

150

-55~150

Junction temperature

Storage temperature range

T_j

T_stg

°C

Electrical Characteristics

Characteristic

Ta=25°C

Symbol

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

Collector-Base breakdown voltage

Collector-Emitter breakdown voltage

Emitter-Base breakdown voltage

Collector cut-off current

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

I_C=10μA, I_E=0

30

20

4

-

-

V

I_C=5mA, I_B=0

-

-

V

I_E=10μA, I_C=0

-

-

-

V

V_CB=30V, I_E=0

-

0.5

0.5

240

0.3

-

μA

μA

-

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=4V, I_C=0

-

-

*

DC current gain

h_FE

V_CE=6V, I_C=1mA

I_C=10mA, I_B=1mA

V_CE=6V, I_E=-1mA

V_CB=6V, I_E=0, f=1MHz

40

-

-

Collector-Emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

-

V

-

550

1.4

MHz

pF

Collector output capacitance

C_ob

-

-

* : h_FErank / R : 40~80, O : 70~140, Y : 120~240

KSD-T0A020-001

1

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC5345E	KODENSHI	RF amplifier	获取价格
2SC5345EF	KODENSHI	RF amplifier	获取价格
2SC5345EF	AUK	NPN Silicon Transistor	获取价格
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