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2SC5200

更新时间： 2024-02-13 01:05:25

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华微电子 - JSMC		/
页数	文件大小	规格书
8页	571K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Transistor

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2SC5200 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	3.85
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	17 A
集电极-发射极最大电压：	250 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	55	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5200 数据手册

NPN 三重扩散晶体管

Silicon NPN Triple Diffused Transistor

2SC5200 SERIES

APPLICATIONS

用途

应用于功率放大器

 Power Amplifier Applications

产品特性

高集电极电压：V_CEO=230V (min)

V_CEO=250V (min)

FEATURES

High collector voltage：V_CEO=230V (min)

V_CEO=250V (min)

与 2SA1943 互补

Complementary to 2SA1943

Recommended for 100W audio frequency

amplifier output

推荐用于 100W 音响频率放大器输出电路

环保（RoHS）产品

封装 Package

RoHS product

TO-3PL(T)

TO-3PB

基极 BASE

3 发射极 EMITTER

集电极（热沉）COLLECTOR (HEAT SINK)

订货信息 ORDER MESSAGE

订货型号

印

记

无卤素

Halogen

Free

封

装

包

装

器件重量

Order codes

Marking

Package

Packaging

Weight

2SC5200-O-AL-N-D

2SC5200-O-AL-N-B

2SC5200-O-AB -N-B

2SC5200A-O-AL-N-D

2SC5200A-O-AL-N-B

2SC5200A-O-AB -N-B

2SC5200B -O-AL-N-B

2SC5200B -O-AL-N-D

2SC5200B-O-AB -N-B

2SC5200C -O-AL-N-B

2SC5200C -O-AL-N-D

2SC5200C-O-AB -N-B

2SC5200

否

NO TO-3PL(T)

NO TO-3PB

泡沫盒 Foam Box

条管 Tube

9.53g(typ)

6.03g(typ)

9.53g(typ)

6.03g(typ)

9.53g(typ)

6.03g(typ)

9.53g(typ)

6.03g(typ)

条管 Tube

NO TO-3PL(T)

NO TO-3PB

泡沫盒 Foam Box

条管 Tube

NO TO-3PL(T)

NO TO-3PB

条管 Tube

泡沫盒 Foam Box

条管 Tube

NO TO-3PL(T)

NO TO-3PB

条管 Tube

泡沫盒 Foam Box

条管 Tube

版本：201603A

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