2SC5200

更新时间： 2024-02-16 09:31:26

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	142K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC5200 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	3.85
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	17 A
集电极-发射极最大电压：	250 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	55	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5200 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC5200

DESCRIPTION

·High Current Capability

·High Power Dissipation

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 230V(Min)

·Complement to Type 2SA1943

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier

output stage applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

230

UNIT

230

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

1.5

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

150

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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