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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | 2-21F1A, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.4 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 12 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 160 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 55 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 120 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 120 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | VCEsat-Max： | 2.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC5199_04 | TOSHIBA | Power Amplifier Applications |
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| 2SC5199O | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-264AA |
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| 2SC5199-O | TOSHIBA | TRANSISTOR 12 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
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| 2SC5199R | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-264AA |
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| 2SC5199-R | TOSHIBA | TRANSISTOR 12 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
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| 2SC519A | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 110V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-3 |
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