2SC5048

更新时间： 2024-01-14 16:51:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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4页	154K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC5048 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.79	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	12 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	4
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	50 W
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1.7 MHz
最大关闭时间（toff）：	4300 ns	VCEsat-Max：	3 V
Base Number Matches：	1

2SC5048 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC5048

DESCRIPTION

·With TO-3P(H)IS package

·High speed

·High voltage

·Low saturation voltage

APPLICATIONS

·Horizontal deflection output for high

resolution display,colorTV

·High speed switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1500

600

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-Peak

Base current

I_B

P_C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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