2SC4097PT

更新时间： 2024-01-30 19:27:02

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力勤 - CHENMKO		晶体晶体管
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3页	90K
描述
Medium Power NPN Transistor

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2SC4097PT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4097PT 数据手册

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD

2SC4097PT

SURFACE MOUNT

Medium Power NPN Transistor

VOLTAGE 32 Volts CURRENT 0.5 Ampere

APPLICATION

* Medium Power Amplifier .

FEATURE

* Surface mount package. (SC-70/SOT-323)

* Low saturation voltage V

SC-70/SOT-323

* Low cob. Cob=6.0pF(Typ.)

CE(sat)=0.4V(max.)(IC=500mA)

* PC= 200mW (mounted on ceramic substrate).

* High saturation current capability.

CONSTRUCTION

0.65

1.3±0.1

2.0±0.2

0.65

* NPN Silicon Transistor

* Epitaxial planner type

0.3±0.1

1.25±0.1

MARKING

* HFE(P):PT

* HFE(Q):NE

* HFE(R):RA

0.8~1.1

0.05~0.2

0~0.1

0.1Min.

C ⁽³⁾

2.0~2.45

CIRCUIT

(1)

E₍₂₎

SC-70/SOT-323

Dimensions in millimeters

MAXIMUM RATINGES ( At TA = 25^oC unless otherwise noted )

RATINGS

CONDITION

Open Emitter

SYMBOL

VCBO

MIN.

MAX.

UNITS

Volts

Collector - Base Voltage

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Collector Current DC

Open Base

VCEO

VEBO

Volts

mAmps

Open Collector

500

Peak Collector Current

Peak Base Current

ICM

IBM

Total Power Dissipation

Storage Temperature

Junction Temperature

Operating Ambient Temperature

TA ≤ 25^OC; Note 1

PTOT

TSTG

250

+150

-55

^oC

TAMB

-55

^oC

Note

1. Transistor mounted on ceramic substrate 50mmX50mmx0.8t.

2. Measured at Pulse Width 300 us, Duty Cycle 2%.

2002-10

12 3

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