2SC3858

更新时间： 2024-11-22 22:52:43

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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1页	27K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SC3858 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	MT-200, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	17 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3858 数据手册

2 S C3 8 5 8

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1494)

Application : Audio and General Purpose

(Ta=25°C)

External Dimensions MT-200

■Absolute maximum ratings

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

2SC3858

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB=200V

Unit

µA

Unit

±0.2

6.0

±0.3

36.4

24.4

100max

200min

50min

200

±0.2

2.1

±0.1

2-ø3.2

IEBO

V^EB=6V

200

V(BR)CEO

hFE

I^C=50mA

V^CE=4V, IC=8A

I^C=10A, IB=1A

V^CE=12V, IE=–1A

V^CB=10V, f=1MHz

MHz

2.5max

20typ

VCE(sat)

200(Tc=25°C)

150

°C

300typ

COB

+0.2

-0.1

0.65

+0.2

-0.1

1.05

h^FERank Y(50 to 100), P(70 to 140), G(90 to 180)

Tstg

–55 to +150

+0.3

-0.1

3.0

±0.1

5.45

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Weight : Approx 18.4g

a. Type No.

b. Lot No.

R^L

VBB1

V^BB2

(V)

I^B1

I^B2

ton

V^CC

(V)

I^C

tstg

(Ω)

(V)

(A)

(µs)

(A)

(µs)

–5

–1

0.5typ

0.6typ

1.8typ

–

I^CV^CECharacteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

I^CV^BETemperature Characteristics (Typical)

(V^CE=4V)

50mA

IC=15A

I^B=20mA

10A

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base Current I^B(A)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

300

200

125˚C

100

Typ

25˚C

100

–30˚C

0.5

0.02

0.1

0.5

10 17

100

Time t(ms)

1000 2000

0.1

0.5

10 17

Collector Current IC(A)

Collector Current I^C(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

200

160

120

Typ

0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

Without Heatsink

0.1

–0.02

100

300

–0.1

–1

Emitter Current IE(A)

–10

100

125

150

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

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2SC3858 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MJE18002	MOTOROLA	功能相似	POWER TRANSISTOR 2.0 AMPERES 1000 VOLTS 25 and 50 WATTS
MJH16006A	MOTOROLA	功能相似	POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 500 VOLTS 150 WATTS

与2SC3858相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3858_07	SANKEN	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
2SC3858_15	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3858_2014	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3858G	ISC	获取价格	Transistor
2SC3858G	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC3858P	ISC	获取价格	Transistor
2SC3858P	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC3858Y	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC3858Y	ISC	获取价格	Transistor
2SC3859	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23

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